石家庄JGP-450型单室磁控溅射

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JGP-450型单室磁控溅射系统

设备用途

JGP-450型单室磁控溅射系统用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。

◆设备组成

系统主要由溅射真空室、 磁控溅射靶、基片水冷加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。磁力送样机构、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。

◆技术指标

极限真空度：≤6.6×10-5 Pa (经烘烤除气后)；

系统真空检漏漏率：≤5.0×10-7 Pa.l/S；

系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，40分钟可达到8.0×10-4 Pa；

停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa；

磁控溅射设备性能举例：

1.用直流电源磁控沉积金属Cu膜，可以制备出沉积速度40nm/min的膜层；同时小样品的膜厚均匀性可以达到3％；可以在硬质和柔性沉底生长膜层；常温也可以沉积Cu膜，不脱落，但是结合力不好；

2.用射频电源磁控沉积氧化硅和氧化铝膜层（等各头氧化物薄膜），可以制备出沉积速度3—5nm/min的膜层；小样品膜层厚度均匀性可以达到3％；膜层的介电性能较好；

系统主要由溅射真空室、磁控溅射靶、基片加热公自转台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。