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磁控溅射镀膜的工艺流程

2021-04-16 09:38:46

磁控溅射镀膜的工艺流程

1、基体清洗

涂层基片的清洗方法主要根据PVD涂层生长方法和涂层使用目的选定。清洗的主要目的是去除表面污物和化学污物,还应考虑表面的粗化。

2、抽本底真空

本底真空一般应控制在2×10-4Pa以上,以尽量减少真空腔体内的残余气体,保证涂层的纯洁度。残余气体由质谱仪监测。

3、加热

加热的作用包括:基片表面除气取水,提高膜基结合力,消除涂层应力,提高膜层粒子的聚集度。一般选择在150~200℃之间。

4、辅助气体分压

磁控溅射建立满足辉光放电的气压条件,一般选择0.01~1 Pa范围内,射频溅射相对于直流溅射更容易起辉,压力更低。

5、预溅射

对于靶材材料易氧化,在表面形成一层氧化膜,预溅射是通过离子轰击的方法去除靶材氧化膜,以及其他非靶材物质。轰击出来的粒子附着在遮挡屏上通过定时清洗清除出真空室。

6、溅射

溅射建立在等离子体的条件下,氩气电离后形成的正离子高速轰击靶材表面,使靶材粒子溅射出来到达基片表面形成涂层。

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7、退火

靶材材料与基片材料的热膨胀系数的差异,会影响薄膜与基片的结合力。适当应用退火工艺,可以有效提高结合力。退火温度选择在400℃以下,一般高于基片加热温度。


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