本底真空对磁控溅射的影响？

2020-08-12 11:00:16

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磁控溅射，磁场操控的二级溅射。

原理是将靶材周围的气体电离化，构成等离子体，在等离子体环境中溅射进程。归于气体放电领域。

优质的膜层需求操控膜层的安稳性和均匀性，而体现在操控方面，则表现为：磁场、气场、电源。

1.磁场的安稳：靶芯的磁场的均匀性。

2.气场的安稳：安稳的抽气和进气体系。

3.电源的安稳：反应操控体系。

以上问题决议了膜层操控的好坏。以上的镀膜设备差价也有百倍、千倍。几万到几亿不等。

从以上能看出镀膜环境对膜层的影响。所以，漏气状况跟膜层的好坏联系巨大。

问题（1）：漏气影响很严重。针对分子泵极限真空抵达2X10-2Pa的状况，漏气状况远大于此时的真空，分子泵在2X10-2Pa的抽速为zui高抽速（用1200L/S的泵体来核算，抽速为1200L/S，排气流量可达到8.0X102PaL/S，PS：留意这里是102.）漏气已经很严重了。一般极限真空需求在10-5Pa，而本地真空根据工艺要求调理，一般也不会大于8.0X10-2Pa。别的，溅射进程中，布气管放气和抽气进程是通过核算的，其方法可尽量减小气场的扰动。所以，假如漏气效果发生的话，将影响漏气点较大范围的气场扰动和气压的巨细。膜层也将受到很大影响。

磁控溅射

问题（2）：这个问题归于流体力学，分为粘滞流、分子流、粘滞分子流。三者的差别在于粘滞流是指的分子自在程远远小于管道最小截面，一般为1Pa左右为界定条件；分子流是分子自在程远远大于管道最小截面，一般为10-2Pa左右为界定条件；两者中间的过度则称为粘滞分子流。由于分子磕碰方法不同，三者流导核算则归于不同的核算方法。不过一般来说，镀膜设备抽气体系尽量短，而直径尽量广泛。才干更好的安稳抽速。抽气体系的管道直径也需求依据真空主管道的长度来核算，不过一般的镀膜真空体系根本没有问题。主管道间隔0.5m左右，粗度可与分子泵口的宽度相同即可（镀膜机厂家都核算过）。假如想增加抽速，需求根据详细管道尺度、转弯、变径等状况详细核算。

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